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Infineon MOSFET Canal N, TO 263 31 A 650 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, TO 263 31 A 650 V, 3 broches, MPN: IPB60R099P7ATMA1

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Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal N, TO 263 31 A 650 V, 3 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TO 263 31 A 650 V, 3 Broches

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Infineon MOSFET Canal N, TO 263 31 A 650 V, 3 Broches
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TE Connectivity Résistance fixe bobinée Bobinée, 220Ω 100W 10%, Série: HCF, Boîtier: Aluminium, Tolérance: 10 %, ±5%, MPN: 2176443-9
    • STMicroelectronics MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 17 A 650 V, 3 broches, Série: MDmesh, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.75mm, MPN: STB24NM60N
    • Lovato Contacteur série BG09, 3 pôles, 1 NF, 9 A, 24 V, 5 kW, Tension de contact: 690 V, MPN: 11BG0901A02460
    • TE Connectivity Résistance CMS série RN73 90.9kΩ, boitier 0805 (2012M) ±0.1% 0.1W, Technologie: Film couche mince, Coefficient de température: ±10ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +125°C, MPN: RN73C2A90K9B
    • TE Connectivity Résistance CMS série RN73 90.9kΩ, boitier 0805 (2012M) ±0.1% 0.1W, Technologie: Film couche mince, Coefficient de température: ±10ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +125°C, MPN: RN73C2A90K9B