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Onsemi Driver De MOSFET NCP3420DR2G 13.2V, 8 Broches, SOIC

About The 5mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C.2V, 8 broches, SOIC, Topologie: High/Low Side, Dépendance High and Low Sides: Synchrone, Type de pont: Demi-pont, Polarité: Sans inversion, Type de montage: CMS, Dimensions: 5 x 4 x 1

onsemi Driver de MOSFET NCP3420DR2G 13.2V, 8 broches, SOIC, Topologie: High/Low Side, Dépendance High and Low Sides: Synchrone, Type de pont: Demi-pont, Polarité: Sans inversion, Type de montage: CMS, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Gestion de l'alimentation > Pilotes de grille

Onsemi Driver De MOSFET NCP3420DR2G 13.2V, 8 Broches, SOIC

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Specifications of Onsemi Driver De MOSFET NCP3420DR2G 13.2V, 8 Broches, SOIC

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Onsemi Driver De MOSFET NCP3420DR2G 13.2V, 8 Broches, SOIC
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Stanley Tournevis testeur de tension, MPN: FMHT0-64985

Stanley Tournevis testeur de tension, MPN: FMHT0-64985

Stanley Tournevis testeur de tension.

    • binder Câble d'actionneur 2 conducteurs, M9 Femelle pré-câblé, 2m, MPN: 79-1402-12-02

    binder Câble d'actionneur 2 conducteurs, M9 Femelle pré-câblé, 2m, MPN: 79-1402-12-02

    binder Câble d'actionneur 2 conducteurs, M9 Femelle pré-câblé, 2m.

    • Texas Instruments Bascule de type D, LVC, 3 états, MPN: SN74LVC574APW

    Texas Instruments Bascule de type D, LVC, 3 états, MPN: SN74LVC574APW

    Texas Instruments Bascule de type D, LVC, 3 états.

    • Texas Instruments DAC, 10 bits bits, 20 broches, SOIC, Architecture: Réseau de résistance, Erreur de non-linéarité intégral: ±1LSB, Nombre de canaux CNA: 8, Type d'interface numérique: Série, MPN: TLV5608IDW
    • Parker Ecrou EO2, Matériau: Acier inoxydable, Qualité alimentaire: Non, MPN: FM10LCF
    • TE Connectivity Résistance CMS série 3522 39kΩ, boitier 2512 (6432M) ±5% 3W, Technologie: Film couche épaisse, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +105°C, MPN: 352239KJT
    • onsemi Driver de MOSFET NCP3420DR2G 13.2V, 8 broches, SOIC, Topologie: High/Low Side, Dépendance High and Low Sides: Synchrone, Type de pont: Demi-pont, Polarité: Sans inversion, Type de montage: CMS, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C
    • TE Connectivity Filtre EMI, 60A max, 3 phases, 520 V c.a. max, Montage sur châssis, série KEP

    TE Connectivity Filtre EMI, 60A max, 3 phases, 520 V c.a. max, Montage sur châssis, série KEP

    a. max, Montage sur châssis, série KEP, Style de terminaison: Bornier, Nombre d'étages: Un étage, Fréquence de fonctionnement: 50 → 60Hz, Courant de fuite: 8,5 mA, Température d'utilisation minimum: -25°C, Température d'utilisation maximum: +85°C, MPN: 60KEPS10BFPW.TE Connectivity Filtre EMI, 60A max, 3 phases, 520 V c.

    • onsemi Driver de MOSFET NCP3420DR2G 13.2V, 8 broches, SOIC, Topologie: High/Low Side, Dépendance High and Low Sides: Synchrone, Type de pont: Demi-pont, Polarité: Sans inversion, Type de montage: CMS, Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C
    • TE Connectivity Filtre EMI, 60A max, 3 phases, 520 V c.a. max, Montage sur châssis, série KEP

    TE Connectivity Filtre EMI, 60A max, 3 phases, 520 V c.a. max, Montage sur châssis, série KEP

    max, Montage sur châssis, série KEP, Style de terminaison: Bornier, Nombre d'étages: Un étage, Fréquence de fonctionnement: 50 → 60Hz, Courant de fuite: 8,5 mA, Température d'utilisation minimum: -25°C, Température d'utilisation maximum: +85°C, MPN: 60KEPS10BFPW.TE Connectivity Filtre EMI, 60A max, 3 phases, 520 V c.a.