Vishay Diode CMS, 8A, 40V, TO-277A

Name: Vishay - Vishay Diode CMS, 8A, 40V, TO-277A, Configuration De Diode: Cathode Commune, Type Diode: Schottky, Nombre De Broche: 3, Courant Direct De Surcharge Non-répétitif De Crête: 120A, MPN: SS8P4C-M3/86A
Brand: Vishay
SKU: ABDX-185734
Price: 33.12 EUR
Availability: InStock

About The Vishay Diode CMS, 8A, 40V, TO-277A, Configuration de diode: Cathode commune, Type diode: Schottky, Nombre de broche: 3, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 120A, MPN: SS8P4C-M3/86A

Vishay Diode CMS, 8A, 40V, TO-277A, Configuration de diode: Cathode commune, Type diode: Schottky, Nombre de broche: 3, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 120A, MPN: SS8P4C-M3/86A

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

Texas Instruments Inverseur SN74AHC1GU04DBVR, Courant, Tension, Entrée de trigger de Schmitt: Non

Texas Instruments Commutateur Crosspoint, 4x4 300MHz Commutation, Type d'alimentation: Simple, MPN: SN65LVDT250DBT

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Specifications of Vishay Diode CMS, 8A, 40V, TO-277A
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Last Updated January 10th, 2025 12:44 pm

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Panasonic Résistance CMS série ERA 137Ω, boitier 0805 (2012M) ±0.1% 0.125W, Technologie: Film métallique, Coefficient de température: ±25ppm/°C, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERA6AEB1370V

Panasonic Résistance CMS série ERA 137Ω, boitier 0805 (2012M) ±0.1% 0.125W.

Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 263 A 60 V, 3 broches, Série: TK, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,2 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK100A06N1,S4X(S

Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 263 A 60 V, 3 broches.

Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 9,7 A 600 V, 3 broches, Série: TK, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 450 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK10A60W5,S5VX(M

Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 9,7 A 600 V, 3 broches.

Texas Instruments Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim. Double, SOIC Amplificateur opérationnel 2 8 broches

Texas Instruments Amplificateur opérationnel, montage CMS, alim. Double, SOIC Amplificateur opérationnel 2 8 broches, MPN: LM2904BQDRQ1.

Texas Instruments Amplificateur de détection du courant LM334SM/NOPB, Ajustable SOIC 8 broches, Tension d'alimentation asymétrique typique: 40 V

Texas Instruments Amplificateur de détection du courant LM334SM/NOPB, Ajustable SOIC 8 broches.

Texas Instruments Commutateur Crosspoint, 4x4 300MHz Commutation, Type d'alimentation: Simple, MPN: SN65LVDT250DBT

Texas Instruments Commutateur Crosspoint, SN65LVDT250DBT, 4x4 300MHz Commutation.