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Signal Construct Voyant Lumineux Rouge, 24 → 28V

About The Signal Construct Voyant lumineux Rouge, 24 → 28V, Type de lampe: LED, Intensité: 120mcd, Base de la lampe: Rainure miniature, Type de boitier: Multicomposants, Diamètre: 5.6mm, Longueur: 15

Signal Construct Voyant lumineux Rouge, 24 → 28V, Type de lampe: LED, Intensité: 120mcd, Base de la lampe: Rainure miniature, Type de boitier: Multicomposants, Diamètre: 5.6mm, Longueur: 15.8mm, Angle de vue: 160 °, Intensité nominale: 15mA, MPN: MWCG5704

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Signal Construct Voyant Lumineux Rouge, 24 → 28V

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Specifications of Signal Construct Voyant Lumineux Rouge, 24 → 28V

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TE Connectivity Résistance Bobiné 10Ω ±5%, 5W, Série: EP(Small), Température d'utilisation maximum: +155°C, Coefficient de température: ±400ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: EP5WS10RJ
    • Siemens Balise clignotante au Xénon Rouge, 24 V c.c., Effet lumineux: Flash, Montage: Montage à baïonnette, Consommation de courant: 125mA, Diamètre de la base: 75mm, Lampe incluse: Oui, Hauteur: 96.5mm, Indice IP: IP65, Température maximum: +50°C, Température minimum: -20°C, MPN: 8WD5320-0CB
    • Vishay MOSFET canal P, SOT-23 4,3 A 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 75 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 1,7 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2323DDS-T1-GE3
    • Vishay MOSFET canal N, SOT-23 5,8 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 42 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2366DS-T1-GE3
    • Vishay MOSFET canal N, SOT-23 5,8 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 42 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3.04mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI2366DS-T1-GE3