Onsemi Diode Traversante, 25A, 45V, TO-220FP

Name: Onsemi - Onsemi Diode Traversante, 25A, 45V, TO-220FP, Configuration De Diode: Cathode Commune, Type De Redressement: Redresseur Schottky, Nombre De Broches: 3, Chute Minimale De Tension Directe: 700mV, Technologie De Diode: Barrière Schottky, Courant Direct De Surcharge Non-répétitif De Crête: 150A, MPN: MBRF2545CTG
Brand: onsemi
SKU: ABDX-186918
Price: 70.32 EUR
Availability: InStock

About The onsemi Diode traversante, 25A, 45V, TO-220FP, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Redresseur Schottky, Nombre de broches: 3, Chute minimale de tension directe: 700mV, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 150A, MPN: MBRF2545CTG

onsemi Diode traversante, 25A, 45V, TO-220FP, Configuration de diode: Cathode commune, Type de redressement: Redresseur Schottky, Nombre de broches: 3, Chute minimale de tension directe: 700mV, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 150A, MPN: MBRF2545CTG

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

Igus Câble de commande chainflex CF130.UL 300 V, 25 x 0,5 mm², 20 AWG, gaine PVC Gris,, 25m, Matériau du conducteur: Cuivre nu, Blindé: Non, Type de blindage: Non blindé, Rayon de courbure minimum: 5 x D, Diamètre extérieur: 13.5mm, Courant: 10 A, MPN: CF130.05.25.UL

STMicroelectronics MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 60 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 16,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.95mm, MPN: STL60N10F7

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Specifications of Onsemi Diode Traversante, 25A, 45V, TO-220FP
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Last Updated December 22nd, 2024 06:37 am

Onsemi Diode Traversante, 25A, 45V, TO-220FP

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Hammond Boîtier pour rail DIN 1597, Dimensions 90 x 69 x 58mm, Type de boîtier: Boîtier à monter sur rail DIN, Matériau du corps: Polycarbonate, Longueur: 90mm, Dimensions: 90 x 69 x 58mm, Distrelec Product Id: 30214825, MPN: 1597DIN4GY

Hammond Boîtier pour rail DIN 1597, Dimensions 90 x 69 x 58mm.

Panasonic Résistance CMS série ERJ 113kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERJ8ENF1133V

25W.

Panasonic Résistance CMS série ERJ 1.13MΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERJ8ENF1134V

25W.

TE Connectivity Cosses à œillet, Non-isolée, 15mm², #10, 13.97mm, Taille maximale des conducteurs (AWG): 6AWG, Taille minimale des conducteurs (AWG): 10AWG, Matériau du contact: Laiton, Placage du contact: Etain, Epaisseur: 1.02mm, Longueur hors tout: 28.07mm, MPN: 61352-1

97mm.TE Connectivity Cosses à œillet, Non-isolée, 15mm², #10, 13.

TE Connectivity Cosses à œillet, Non-isolée, 1.4mm², M3.5 (#6), 5.84mm, Diamètre interne de l'anneau: 3.68mm, Taille minimale des conducteurs (mm2): 0.5mm², Taille maximale des conducteurs (AWG): 16AWG, Taille minimale des conducteurs (AWG): 20AWG, Matériau du contact: Laiton, Epaisseur: 0.635mm, Longueur hors tout: 11.68mm, MPN: 61764-1

84mm.5 (#6), 5.

STMicroelectronics MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 60 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 16,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.95mm, MPN: STL60N10F7

STMicroelectronics MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 60 A 100 V, 8 broches.