reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 Broches

About The .Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ CE, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3

Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ CE, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 61 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPD60R1K0CEAUMA1

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 Broches

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 Broches

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 Broches
More Varieties

Rating :- 9.86 /10
Votes :- 38