Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ CE, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 61 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IPD60R1K0CEAUMA1
Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 6,8 A 650 V, 3 Broches | |
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