Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 150 V, 3 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.31mm, MPN: IPB072N15N3 G
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Infineon MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 150 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 100 A 150 V, 3 Broches | |
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