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STMicroelectronics MOSFET Canal N, Radiateur à Main 90 V, 5 Broches

About The STMicroelectronics MOSFET canal N, Radiateur à main 90 V, 5 broches, Série: RF3L, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, MPN: RF3L05250CB4

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, Radiateur à Main 90 V, 5 Broches

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STMicroelectronics MOSFET Canal N, Radiateur à Main 90 V, 5 Broches
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STMicroelectronics Thyristor, 12A, 15mA, A-220, 3 broches, Courant de surcharge: 145A, Type de montage: Traversant, Tension de déclenchement de Grille maximum: 1.3V, Courant de maintien maximum: 30mA, Dimensions: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: TYN412RG
    • STMicroelectronics NVRAM, 16Kbit, Parallèle, PCDIP, 24 broches, 5ns, Configuration: 2K x 8, Largeur de bus de données: 8bit, Type de montage: Traversant, Dimensions: 34.8 x 18.34 x 8.89mm, Longueur: 34.8mm, Largeur: 18.34mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Température d'utilisation maximum: +70 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 4,5 V, MPN: M48Z12-150PC1
    • SMC Vanne pneumatique VM100 Levier à galet Pneumatic Relay, G 1/8, 1/8, Pression de fonctionnement maximum: 1 MPa, Température de fonctionnement minimum: -5°C, Température de fonctionnement maximum: +60°C, Nombre d'orifices: 3, Nombre de positions: 2, Numéro de modèle (p): III B, MPN: VM131-F01-01SA
    • STMicroelectronics Diode traversante, 15A, 1200V, DO-247, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 2.1V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 105ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 200A, MPN: STTH1512W
    • STMicroelectronics Diode traversante, 15A, 1200V, DO-247, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 2.1V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 105ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 200A, MPN: STTH1512W