SMC Table Rotative, Réf CRB1BW50-180S-XF, Alésage 50mm, 180°, Raccord G 1/8

About The SMC Table rotative, réf CRB1BW50-180S-XF, alésage 50mm, 180°, Raccord G 1/8, Pression maximum absolue: 1MPa, Type d'amortissement: Caoutchouc, Poids: 790g

SMC Table rotative, réf CRB1BW50-180S-XF, alésage 50mm, 180°, Raccord G 1/8, Pression maximum absolue: 1MPa, Type d'amortissement: Caoutchouc, Poids: 790g

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SICK Capteur photoélectrique Suppression de l'arrière plan, G10, 20 → 950 mm, Rectangulaire, IP67

Infineon MOSFET canal N, A-247 63 A 600 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ CFD7, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,031 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, MPN: IPW60R031CFD7XKSA1

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Specifications of SMC Table Rotative, Réf CRB1BW50-180S-XF, Alésage 50mm, 180°, Raccord G 1/8
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Last Updated December 30th, 2024 12:10 am

SMC Table Rotative, Réf CRB1BW50-180S-XF, Alésage 50mm, 180°, Raccord G 1/8

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Infineon MOSFET canal N, HSOF-8 96 A 200 V, 8 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0111 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPT111N20NFDATMA1

Infineon MOSFET canal N, HSOF-8 96 A 200 V, 8 broches.

Phoenix Contact Bornier enfichable, GMSTBV 2.5/ 8-GF-7.62, 8 pôles, 7.62mm, 12.0A, Type de bornier enfichable: Embase de connecteur, Orientation du corps: Droit, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Tension: 630,0 V, Matériau du contact: Etain, MPN: 1829219

5/ 8-GF-7.

Infineon MOSFET canal N, HSOF-8 23 A 600 V, 8 broches, Série: CoolMOS™ G7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,102 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPT60R102G7XTMA1

Infineon MOSFET canal N, HSOF-8 23 A 600 V, 8 broches.

Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE, Classification: Module d'extension, Technologie: Module cellulaire 3G, Pour être utilisé avec: Digi XBee3, MPN: SLEXP8031A_SIL

Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE.

Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE, Classification: Module d'extension, Technologie: Module cellulaire 3G, Pour être utilisé avec: Digi XBee3, MPN: SLEXP8031A_SIL

Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE.

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Phoenix Contact Bornier enfichable, GMSTBV 2.5/ 8-GF-7.62, 8 pôles, 7.62mm, 12.0A, Type de bornier enfichable: Embase de connecteur, Orientation du corps: Droit, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Tension: 630,0 V, Matériau du contact: Etain, MPN: 1829219

Infineon MOSFET canal N, HSOF-8 23 A 600 V, 8 broches, Série: CoolMOS™ G7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,102 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPT60R102G7XTMA1

Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE, Classification: Module d'extension, Technologie: Module cellulaire 3G, Pour être utilisé avec: Digi XBee3, MPN: SLEXP8031A_SIL

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