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Silicon Labs Module De Développement De Communication Et Sans Fil LTE-M Expansion Kit LTE

About The Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE, Classification: Module d'extension, Technologie: Module cellulaire 3G, Pour être utilisé avec: Digi XBee3, MPN: SLEXP8031A_SIL

Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE, Classification: Module d'extension, Technologie: Module cellulaire 3G, Pour être utilisé avec: Digi XBee3, MPN: SLEXP8031A_SIL

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Specifications of Silicon Labs Module De Développement De Communication Et Sans Fil LTE-M Expansion Kit LTE

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Silicon Labs Module De Développement De Communication Et Sans Fil LTE-M Expansion Kit LTE
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JST Cordon pré-serti SHLV, 300mm, 0.08 → 0.032mm², Borne à sertir 1: SSHL, Genre de la borne sertie 1: Femelle, Couleur de gaine: Rouge, Courant: 1 A, Connecteur A: terminal à sertir, MPN: SSHL-003GA1-P0.2-300WR
    • Toko Inductance bobinée CMS 6,8 μH, 850mA max, DEM2810C, dimensions 3 x 3.2 x 1mm, Blindé, série DEM2810C, Longueur: 3mm, Profondeur: 3.2mm, Blindé: Oui, Tolérance: ±20%, Résistance DC maximale: 300mΩ, MPN: 1224AS-H-6R8M
    • E-TEC Discrete Socket, ,, Genre: Femelle, Matériau du contact: Cuivre Béryllium, Type de raccordement: A souder, Résistance de contact maximale: 4.3mΩ, Température de fonctionnement minimale: -55°C, Température de fonctionnement maximale: +125°C, MPN: PIN-S016-95
    • Infineon MOSFET canal N, HSOF-8 96 A 200 V, 8 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0111 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPT111N20NFDATMA1
    • Phoenix Contact Bornier enfichable, GMSTBV 2.5/ 8-GF-7.62, 8 pôles, 7.62mm, 12.0A, Type de bornier enfichable: Embase de connecteur, Orientation du corps: Droit, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Tension: 630,0 V, Matériau du contact: Etain, MPN: 1829219
    • Infineon MOSFET canal N, HSOF-8 23 A 600 V, 8 broches, Série: CoolMOS™ G7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,102 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPT60R102G7XTMA1
    • Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE, Classification: Module d'extension, Technologie: Module cellulaire 3G, Pour être utilisé avec: Digi XBee3, MPN: SLEXP8031A_SIL
    • Infineon MOSFET canal N, A-247 63 A 600 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ CFD7, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,031 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, MPN: IPW60R031CFD7XKSA1
    • Silicon Labs Module de développement de communication et sans fil LTE-M Expansion Kit LTE, Classification: Module d'extension, Technologie: Module cellulaire 3G, Pour être utilisé avec: Digi XBee3, MPN: SLEXP8031A_SIL
    • Infineon MOSFET canal N, A-247 63 A 600 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ CFD7, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,031 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, MPN: IPW60R031CFD7XKSA1