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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 9 A 600 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 9 A 600 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ P7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,36 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IPD60R360P7ATMA1

Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 9 A 600 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ P7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,36 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IPD60R360P7ATMA1

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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 9 A 600 V, 3 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 9 A 600 V, 3 Broches

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