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Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 29 A 600 V, 5 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R065C7AUMA1

Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R065C7AUMA1

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 29 A 600 V, 5 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 29 A 600 V, 5 Broches

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    • Power Integrations Carte adaptateur de l'alimentation Adaptateur LNK625DG., Nom du kit: RDR-669, MPN: RDK-669
    • Power Integrations Convertisseur Flyback Alimentation intégrée LinkSwitch-XT2 900 V, Nom du kit: RDR-736, MPN: RDK-736

    Power Integrations Convertisseur Flyback Alimentation intégrée LinkSwitch-XT2 900 V, Nom du kit: RDR-736, MPN: RDK-736

    Power Integrations Convertisseur Flyback Alimentation intégrée LinkSwitch-XT2 900 V.

    • Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 5 A 500 V, 3 broches, Série: CoolMOS™, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 800 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IPD50R800CEAUMA1
    • Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 40 A 600 V, 5 broches, Série: CoolMOS™ CFD7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 60 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IPL60R060CFD7AUMA1
    • Littelfuse Reed Switch subminiature N/O AT 10-25, Résistance du contact: 100mΩ, Plage de valeur des At: 10-25AT, Largeur: 1.8mm, Longueur: 12.7mm, Dimensions: 1.8 (Dia.) x 12.7mm, MPN: MDSR-7-10-25
    • Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R065C7AUMA1

    Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R065C7AUMA1

    Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches.

    • TE Connectivity Résistance CMS série CRGS 2.7Ω, boitier 1206 (3216M) ±5% 0.6W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ≤±400ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CRGS1206J2R7
    • Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R065C7AUMA1

    Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R065C7AUMA1

    Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches.

    • TE Connectivity Résistance CMS série CRGS 2.7Ω, boitier 1206 (3216M) ±5% 0.6W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ≤±400ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CRGS1206J2R7