STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-220 33 A 650 V, 3 Broches
About The .STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 33 A 650 V, 3 broches, Série: MDmesh M5, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 79 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10
STMicroelectronics MOSFET canal N, A-220 33 A 650 V, 3 broches, Série: MDmesh M5, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 79 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, MPN: STP42N65M5
Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-220 33 A 650 V, 3 Broches
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-220 33 A 650 V, 3 Broches | |
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