STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-247 40 A 600 V, 3 Broches
About The STMicroelectronics MOSFET canal N, A-247 40 A 600 V, 3 broches, Série: MDmesh DM2, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 79 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, MPN: STW48N60DM2
STMicroelectronics MOSFET canal N, A-247 40 A 600 V, 3 broches, Série: MDmesh DM2, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 79 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 300 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, MPN: STW48N60DM2
Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-247 40 A 600 V, 3 Broches
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, A-247 40 A 600 V, 3 Broches | |
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