Vishay Siliconix MOSFET canal P, SC-70-6L 2,68 A 20 V, 6 broches, Série: TrenchFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 200 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±8 V, Longueur: 2.2mm, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3
Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay Siliconix MOSFET Canal P, SC-70-6L 2,68 A 20 V, 6 Broches
Specifications of Vishay Siliconix MOSFET Canal P, SC-70-6L 2,68 A 20 V, 6 Broches | |
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