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Vishay Diode CMS, 2A, 200V, DO-221AC

About The Vishay Diode CMS, 2A, 200V, DO-221AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Diode épitaxiale à récupération rapide, Chute minimale de tension directe: 930mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 25ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 65A, MPN: VS-2EJH02HM3/6B

Vishay Diode CMS, 2A, 200V, DO-221AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Diode épitaxiale à récupération rapide, Chute minimale de tension directe: 930mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 25ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 65A, MPN: VS-2EJH02HM3/6B

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

Vishay Diode CMS, 2A, 200V, DO-221AC

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Specifications of Vishay Diode CMS, 2A, 200V, DO-221AC

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Vishay Diode CMS, 2A, 200V, DO-221AC
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OPTIBELT Courroie VB S=C Plus, Section 5, long int: 315mm, Matériau: Caoutchouc, Type de courroie: Courroie trapézoïdale, Diamètre minimum de poulie: 20mm, Longueur: 325mm, MPN: 5 x 315
    • OPTIBELT Courroie VB S=C Plus, Section 5, long int: 335mm, Matériau: Caoutchouc, Type de courroie: Courroie trapézoïdale, Diamètre minimum de poulie: 20mm, Longueur: 345mm, MPN: 5 x 335
    • OPTIBELT Courroie VB S=C Plus, Section 5, long int: 500mm, Largeur au sommet: 5mm, Matériau: Caoutchouc, Type de courroie: Courroie trapézoïdale, Diamètre minimum de poulie: 20mm, Longueur: 510mm, MPN: 5 x 500
    • OPTIBELT Courroie VB S=C Plus, Section 5, long int: 530mm, Largeur au sommet: 5mm, Matériau: Caoutchouc, Type de courroie: Courroie trapézoïdale, Diamètre minimum de poulie: 20mm, Longueur: 540mm, MPN: 5 x 530
    • Siemens Transformateur de courant pour série 3NJ6940, Tension d'utilisation: 720V, Couleur: Noir, Rouge, MPN: 3NJ6940-3BJ12
    • Infineon MOSFET canal N, FET direct grand boîtier 124 A 100 V, MPN: IRF7769L1TRPBF

    Infineon MOSFET canal N, FET direct grand boîtier 124 A 100 V, MPN: IRF7769L1TRPBF

    Infineon MOSFET canal N, FET direct grand boîtier 124 A 100 V.

    • Vishay Diode CMS, 2A, 200V, DO-221AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Diode épitaxiale à récupération rapide, Chute minimale de tension directe: 930mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 25ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 65A, MPN: VS-2EJH02HM3/6B
    • Infineon MOSFET canal N, SO-8 10 A 80 V, MPN: IRF7854TRPBF

    Infineon MOSFET canal N, SO-8 10 A 80 V, MPN: IRF7854TRPBF

    Infineon MOSFET canal N, SO-8 10 A 80 V.

    • Vishay Diode CMS, 2A, 200V, DO-221AC, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Usage général, Type diode: Diode épitaxiale à récupération rapide, Chute minimale de tension directe: 930mV, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 25ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 65A, MPN: VS-2EJH02HM3/6B
    • Infineon MOSFET canal N, SO-8 10 A 80 V, MPN: IRF7854TRPBF

    Infineon MOSFET canal N, SO-8 10 A 80 V, MPN: IRF7854TRPBF

    Infineon MOSFET canal N, SO-8 10 A 80 V.