reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 Broches

About The Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches, Série: TK090A65Z, Résistance Drain Source maximum: 0,09 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: TK090A65Z,S4X(S

Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches, Série: TK090A65Z, Résistance Drain Source maximum: 0,09 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: TK090A65Z,S4X(S

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 Broches

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 Broches

Category
Instockinstock

Last Updated

Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 Broches
More Varieties

Rating :- 8.07 /10
Votes :- 39