Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 broches, Série: TK090A65Z, Résistance Drain Source maximum: 0,09 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, MPN: TK090A65Z,S4X(S
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Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 Broches
Specifications of Toshiba MOSFET Canal N, TO-220SIS 30 A 650 V, 3 Broches | |
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