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STMicroelectronics IGBT, STGWA20H65DFB2,, 40 A, 650 V, A-247, 3 Broches, Simple

About The STMicroelectronics IGBT,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 147 W, MPN: STGWA20H65DFB2

STMicroelectronics IGBT,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 147 W, MPN: STGWA20H65DFB2

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > IGBT

STMicroelectronics IGBT, STGWA20H65DFB2,, 40 A, 650 V, A-247, 3 Broches, Simple

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Specifications of STMicroelectronics IGBT, STGWA20H65DFB2,, 40 A, 650 V, A-247, 3 Broches, Simple

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STMicroelectronics IGBT, STGWA20H65DFB2,, 40 A, 650 V, A-247, 3 Broches, Simple
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Phoenix Contact Isolant femelle HEAVYCONNEC, série BB10, 10 pôles, raccordement serti, MPN: 1687435

Phoenix Contact Isolant femelle HEAVYCONNEC, série BB10, 10 pôles, raccordement serti, MPN: 1687435

Phoenix Contact Isolant femelle HEAVYCONNEC, série BB10, 10 pôles, raccordement serti.

    • Laird External Antennas Antenne WiFi Omnidirectionnelle SMA RP Externe WiFi (Dual Band) 2dBi, Aspect physique de l’antenne: Court, Plage de fréquence: 2,4 GHz, 5,8 GHz, Genre du connecteur: Mâle, Construction interne de l’antenne: Dipolaire, Dimensions: 13 (Dia.) x 137mm, Poids: 22g, Température d'utilisation maximum: +65°C, MPN: 001-0009
    • Laird External Antennas Omnidirectionnelle Antenne multibande CFD69383P1-30NF Plafond Plaque, Interne Femelle Type N, Protocoles RF: 4G (LTE), WiFi, Plage de fréquence: 698 → 960 MHz, 1350 → 1550 MHz, 1690 → 4 000 MHz, Type de connecteur: Type N Femelle, Gain: 3.2 dBi → 5.2dBi, Longueur de câble: 0.3m, Cordons inclus: Oui
    • Laird External Antennas Omnidirectionnelle Antenne multibande CFD69383P-30D43F Plafond Plaque, Interne Femelle 4.3 - 10, Protocoles RF: 4G (LTE), WiFi, Plage de fréquence: 698 → 960 MHz, 1350 → 1550 MHz, 1690 → 4 000 MHz, Gain: 3.0 dBi → 5.2dBi, Longueur de câble: 0.3m, Cordons inclus: Oui
    • ROHM MOSFET canal N, TO-220AB 50 A 150 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: Si, MPN: RX3R05BBHC16
    • STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.

    20W. STMicroelectronics Diode TVS Bidirectionnel, claq.20W, MPN: ESDZX051-1BF4 10V, 11V 201, 2 broches, dissip. 10V, 11V 201, 2 broches, dissip.

    • ROHM MOSFET canal N, TO-247-4L 70 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Mode de canal: Enrichissement, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, MPN: SCT3030ARC15
    • STMicroelectronics IGBT,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 147 W, MPN: STGWA20H65DFB2
    • ROHM MOSFET canal N, TO-247-4L 70 A 650 V, 4 broches, Type de montage: Traversant, Mode de canal: Enrichissement, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: SiC, MPN: SCT3030ARC15
    • STMicroelectronics IGBT,, 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 147 W, MPN: STGWA20H65DFB2