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Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 33 A 600 V, 5 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 33 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R075CFD7AUMA1

Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 33 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R075CFD7AUMA1

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 33 A 600 V, 5 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 33 A 600 V, 5 Broches

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Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 33 A 600 V, 5 Broches
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HOBUT Ampèremètre analogique de panneau V c.c. série D48MC, Echelle 0/3A For Shunt 75mV, 48mm x 48mm

HOBUT Ampèremètre analogique de panneau V c.c. série D48MC, Echelle 0/3A For Shunt 75mV, 48mm x 48mm

HOBUT Ampèremètre analogique de panneau V c.c.5, Température minimum: -25°C, Température maximum: +40°C, MPN: D481MCS75MV/4-001 0/3A. série D48MC, Echelle 0/3A For Shunt 75mV, 48mm x 48mm, Elément mobile: Bobine mobile, Profondeur: 43mm, Précision de l'indicateur: Classe 1.

    • HOBUT Ampèremètre analogique de panneau V c.c. série D48MC, Echelle 0/30A For Shunt 75mV, 48mm x 48mm

    HOBUT Ampèremètre analogique de panneau V c.c. série D48MC, Echelle 0/30A For Shunt 75mV, 48mm x 48mm

    c.5, Température minimum: -25°C, Température maximum: +40°C, MPN: D481MCS75MV/4-001 0/30A.HOBUT Ampèremètre analogique de panneau V c.

    • Wurth Elektronik Embase pour CI, 6.570122302, 6 pôles, 5.7mm, 2 rangées, Verticale, Type de montage: Traversant, MPN: 657012230200
    • Omron Capteur photoélectrique Rétroréfléchissant, E3S, 3 m, Bloc, IP67

    Omron Capteur photoélectrique Rétroréfléchissant, E3S, 3 m, Bloc, IP67

    maximum: 30V, Source lumineuse: LED, Courant maximum: 100 mA, Temps de réponse: 1 ms, Matériau du boîtier: Zinc moulé sous pression, Température d'utilisation maximum: +55°C, Température minimum de fonctionnement: -25°C, MPN: E3SCR11.c.Omron Capteur photoélectrique Rétroréfléchissant, E3S, 3 m, Bloc, IP67, Type de sortie: PNP, Raccordement électrique: Câble précâblé, Tension V c.

    • 11mm, Dispositif d'étanchéité: Blindé des deux côtés, Jeu de palier: cN, Matériau: Acier, Charge statique nominale: 3.75kN, Capacité de charge dynamique: 7.65kN, Type d'alésage: Parallèle, Série de roulement: 2 Légère, Code de roulement partiel: 6202, MPN: 6202ZZ
    • Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 600 V, 3 broches, MPN: IPD60R180C7ATMA1

    Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 600 V, 3 broches, MPN: IPD60R180C7ATMA1

    Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 600 V, 3 broches.

    • Infineon MOSFET canal N, DDPAK 13 A 600 V, 10 broches, Série: CoolMOS™ G7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPDD60R190G7XTMA1
    • Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 33 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R075CFD7AUMA1

    Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 33 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R075CFD7AUMA1

    Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 33 A 600 V, 5 broches.

    • Infineon MOSFET canal N, DDPAK 13 A 600 V, 10 broches, Série: CoolMOS™ G7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPDD60R190G7XTMA1
    • Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 33 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R075CFD7AUMA1

    Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 33 A 600 V, 5 broches, MPN: IPL60R075CFD7AUMA1

    Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 33 A 600 V, 5 broches.