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Infineon MOSFET Canal N, TO-252 1,9 A 800 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, TO-252 1,9 A 800 V, 3 broches, MPN: IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon MOSFET canal N, TO-252 1,9 A 800 V, 3 broches, MPN: IPD80R3K3P7ATMA1

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal N, TO-252 1,9 A 800 V, 3 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TO-252 1,9 A 800 V, 3 Broches

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Infineon MOSFET canal N, TO-252 2,4 A 600 V, 3 broches, MPN: IPD60R2K0C6ATMA1

Infineon MOSFET canal N, TO-252 2,4 A 600 V, 3 broches, MPN: IPD60R2K0C6ATMA1

Infineon MOSFET canal N, TO-252 2,4 A 600 V, 3 broches.

    • Infineon MOSFET canal N, TO-252 7,2 A 650 V, 3 broches, Série: CoolMOSâ„¢ CE, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, MPN: IPD65R1K0CEAUMA1
    • Gates Courroie Super HC, Section SPB, long primitive : 2430mm, long int: 2370mm, long ext : 2452mm, Largeur au sommet: 16.3mm, Hauteur: 13mm, Longueur: 2400mm, MPN: 9339-02430
    • Fortex Riveteuse et rivet pour CI, pour trou de diamètre 0.6mm, longueur: 2.2mm, Type: Fixation de presse pour rivets Å“illets en cuivre, Pour taille de trou - Panneau amovible: 0.8mm, Epaisseur maximum de panneau/carte: 1.6mm, MPN: PTH400-TOOL0.6
    • Fortex Riveteuse et rivet pour CI, pour trou de diamètre 0.6mm, longueur: 2.2mm, Type: Fixation de presse pour rivets Å“illets en cuivre, Pour taille de trou - Panneau amovible: 0.8mm, Epaisseur maximum de panneau/carte: 1.6mm, MPN: PTH400-TOOL0.6