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Vishay Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 4.1V, 11V Micro SMP, 2 Broches, Dissip. 100W

About The 1V, 11V Micro SMP, 2 broches, dissip. 4

100W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 3.3V, Courant d'impulsion crête maximum: 75A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Dimensions: 2.3 x 1.4 x 0.73mm, MPN: MSP3V3-M3/89A Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq. 4.1V, 11V Micro SMP, 2 broches, dissip.

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes TVS

Vishay Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 4.1V, 11V Micro SMP, 2 Broches, Dissip. 100W

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Specifications of Vishay Diode TVS Unidirectionnel, Claq. 4.1V, 11V Micro SMP, 2 Broches, Dissip. 100W

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Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8L 266 A 40 V, 4 broches, MPN: SQJ140ELP-T1_GE3

Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8L 266 A 40 V, 4 broches, MPN: SQJ140ELP-T1_GE3

Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8L 266 A 40 V, 4 broches.

    • JST Boitier de connecteur Femelle, 16 contacts sur 2 rangs, pas 2mm, Droit, Montage sur câble, série PADP, Accessoire pour: Contact à sertir série SPH, Longueur: 18mm, Largeur: 10mm, Matériau du boîtier: Polyamide, MPN: PADP-16V-1-S
    • 14mm, Dispositif d'étanchéité: Étanche des deux côtés, MPN: S6204-2RSR-FD

    14mm, Dispositif d'étanchéité: Étanche des deux côtés, MPN: S6204-2RSR-FD

    14mm 20mm, ø ext. 47mm, larg. 47mm, larg.FAG Roulement à billes à gorge profonde à une rangée, ø int.

    • Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8L 60 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: SQJ170ELP-T1_GE3
    • Bourns Résistance CMS série PWR263S-35 8.2Ω, boitier A-263 ±1% 35W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: PWR263S-35-8R20F
    • Vishay Diode CMS, 7.5A, 45V, D2PAK (TO-263), Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Redresseur Schottky, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 150A, MPN: MBRB745-E3/81
    • Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    1V, 11V Micro SMP, 2 broches, dissip.

    • Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    0A-M3/89A 6.9A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 2.4V, 9.4 x 0.

    • Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    4 x 0.3 x 1. Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    • Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    Vishay Diode TVS Unidirectionnel, claq.

    4V, 9.73mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MSP5.