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Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 161 A 40 V, 8 Broches

About The Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 161 A 40 V, 8 broches, Série: TSM025, Résistance Drain Source maximum: 2,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: TSM025NB04LCR

Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 161 A 40 V, 8 broches, Série: TSM025, Résistance Drain Source maximum: 2,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: TSM025NB04LCR

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 161 A 40 V, 8 Broches

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Specifications of Taiwan Semiconductor MOSFET, PDFN56 161 A 40 V, 8 Broches

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