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Infineon MOSFET Canal N, PG-TO263-3 187 A 60 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3 187 A 60 V, 3 broches, MPN: IPB018N06NF2SATMA1

Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3 187 A 60 V, 3 broches, MPN: IPB018N06NF2SATMA1

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal N, PG-TO263-3 187 A 60 V, 3 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, PG-TO263-3 187 A 60 V, 3 Broches

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Infineon MOSFET Canal N, PG-TO263-3 187 A 60 V, 3 Broches
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RS PRO Résistance CMS 47kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, Distrelec Product Id: 30425946
    • RS PRO Résistance CMS 56kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, Distrelec Product Id: 30425948
    • RS PRO Résistance CMS 150kΩ, boitier 0603 (1608M) ±1% 0.25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C
    • Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3 190 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: SiC, MPN: IPB013N06NF2SATMA1
    • Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3 190 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Mode de canal: Enrichissement, Matériau du transistor: SiC, MPN: IPB013N06NF2SATMA1