reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M

About The onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M, Courant continu de Drain maximum: 20 A, Tension Drain Source maximum: 650 V, Type de boîtier: A-220, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.63mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTPF190N65S3HF

onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M, Courant continu de Drain maximum: 20 A, Tension Drain Source maximum: 650 V, Type de boîtier: A-220, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.63mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTPF190N65S3HF

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M

onsemi MOSFET canal N, DFN 362 A 40 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 179 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFS5C406NLT1G
onsemi MOSFET canal N, LFPAK8 300 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 920 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 166 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NTMJS1D0N04CTWG
More from Onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M, Courant Continu De Drain Maximum: 20 A, Tension Drain Source Maximum: 650 V, Type De Boîtier: A-220, Type De Montage: Traversant, Résistance Drain Source Maximum: 190 MΩ, Mode De Canal: Enrichissement, Tension De Seuil Maximale De La Grille: 5V, Tension De Seuil Minimale De La Grille: 3V, Dissipation De Puissance Maximum: 36 W, Configuration Du Transistor: Simple, Tension Grille Source Maximum: ±30 V, Longueur: 10.63mm, Température D'utilisation Maximum: +150 °C, MPN: NTPF190N65S3HF | Onsemi
Search

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Specifications of Onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M
More Varieties

Rating :- 8.28 /10
Votes :- 44
Festo Capteur de proximité, M8, Détection 4 mm, 10 → 30 V, Technologie de détection: Inductif, Type de corps: Baril fileté, Indice IP: IP67, Série: SIEF, Tension d'alimentation: 10 - 30 V, MPN: SIEF-M8NB-NS-S-L
    • DeWALT Bande abrasive, 715mm x 45mm, Grain 80, Matériau abrasif: Oxyde d'aluminium, Type de papier abrasif: Courroie de ponçage, Série: DT335, MPN: DT3351-QZ
    • TE Connectivity Résistance fixe traversante 47Ω 10%, Céramique, 2W Axial, MPN: HPCR0819AK47RST

    TE Connectivity Résistance fixe traversante 47Ω 10%, Céramique, 2W Axial, MPN: HPCR0819AK47RST

    TE Connectivity Résistance fixe traversante 47Ω 10%, Céramique, 2W Axial.

    • RS PRO Veste Softshell Elasthanne, polyester Homme, Bleu marine, L, Propriétés des matériaux: Imperméable, Matériau de la doublure: Micro-polaire, Capuche intégrée: Non
    • onsemi MOSFET canal N, A-247 20 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 162 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTHL190N65S3HF
    • onsemi MOSFET canal N, LFPAK8 300 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 920 μΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 166 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NTMJS1D0N04CTWG
    • onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M, Courant continu de Drain maximum: 20 A, Tension Drain Source maximum: 650 V, Type de boîtier: A-220, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.63mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTPF190N65S3HF
    • onsemi MOSFET canal N, DFN 362 A 40 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 179 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFS5C406NLT1G
    • onsemi SUPERFET3 650V FRFET190M, Courant continu de Drain maximum: 20 A, Tension Drain Source maximum: 650 V, Type de boîtier: A-220, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 190 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 36 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.63mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTPF190N65S3HF
    • onsemi MOSFET canal N, DFN 362 A 40 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 179 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFS5C406NLT1G