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IXYS MOSFET Canal N, ISOPLUS247 18 A 1 000 V, 3 Broches

About The IXYS MOSFET canal N, ISOPLUS247 18 A 1 000 V, 3 broches, Série: HiperFET, Q3-Class, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 490 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR24N100Q3

IXYS MOSFET canal N, ISOPLUS247 18 A 1 000 V, 3 broches, Série: HiperFET, Q3-Class, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 490 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.5V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 16.13mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFR24N100Q3

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IXYS MOSFET Canal N, ISOPLUS247 18 A 1 000 V, 3 Broches

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Specifications of IXYS MOSFET Canal N, ISOPLUS247 18 A 1 000 V, 3 Broches

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