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Infineon IGBT, IKY50N120CH3XKSA1,, 100 A, 1200 V, A-247, 4 Broches, Simple

About The 9 x 5.Infineon IGBT,, 100 A, 1200 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 652 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 60kHz, Dimensions: 15

Infineon IGBT,, 100 A, 1200 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 652 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 60kHz, Dimensions: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, Indice énergétique: 4.2mJ, Capacité de grille: 3269pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IKY50N120CH3XKSA1

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > IGBT

Infineon IGBT, IKY50N120CH3XKSA1,, 100 A, 1200 V, A-247, 4 Broches, Simple

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Specifications of Infineon IGBT, IKY50N120CH3XKSA1,, 100 A, 1200 V, A-247, 4 Broches, Simple

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Fibox Boîtier à usage général EKUN en Polycarbonate, 760 x 560 x 250mm, Gris IP66, IP67, Longueur externe: 250 mm, Hauteur externe: 760 mm, Largeur externe: 560 mm, Bridé: Oui, Indice de protection IK: IK08, MPN: EKWH 250 G enclosure NEW
    • Fibox Kit guide-câbles EPA, Longueur: 216mm, Largeur: 85mm, Dimensions: 216 x 85mm, MPN: EPA 2160 cable entry
    • Fibox Insert de verrou carré LIS ARCA, Matériau: Polyamide, MPN: LIS ARCA S8
    • Gefran Transmetteur pression de melt, Pression de fusion 350bar max, pour Liquide, Précision: ±0,5 %, Type de sortie: Courant, Tension d'alimentation: 10 → 30 V., Indice IP: IP65, MPN: KE1-6-M-B35D-1-4-D-S 2130X000X00
    • Gefran Transducteur linéaire Mesure linéaire, axe Axial, Analogique, Course: 100mm, Tension d'alimentation: 24 V, MPN: WPP-A-A-0100-N 0000X000X00X0XX
    • Infineon MOSFET International Rectifier canal N, SO 14,6 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±12 V, Tension directe de la diode: 1.3V, Hauteur: 1.5mm, MPN: IRF7809AVTRPBF
    • Infineon IGBT,, 80 A, 1200 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 60kHz, Longueur: 15.9mm, Largeur: 5.1mm, Hauteur: 22.5mm, Dimensions: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, MPN: IKY40N120CH3XKSA1
    • Infineon IGBT,, 100 A, 1200 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 652 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 60kHz, Dimensions: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, Indice énergétique: 4.2mJ, Capacité de grille: 3269pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IKY50N120CH3XKSA1
    • Infineon IGBT,, 80 A, 1200 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 500 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 60kHz, Longueur: 15.9mm, Largeur: 5.1mm, Hauteur: 22.5mm, Dimensions: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, MPN: IKY40N120CH3XKSA1
    • Infineon IGBT,, 100 A, 1200 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 652 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 60kHz, Dimensions: 15.9 x 5.1 x 22.5mm, Indice énergétique: 4.2mJ, Capacité de grille: 3269pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IKY50N120CH3XKSA1