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Infineon MOSFET Canal N, ThinkPAK 8 X 8 13 A 650 V, 5 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, ThinkPAK 8 x 8 13 A 650 V, 5 broches, Série: CoolMOS™, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,185 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: IPL60R185C7AUMA1

Infineon MOSFET canal N, ThinkPAK 8 x 8 13 A 650 V, 5 broches, Série: CoolMOS™, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,185 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: IPL60R185C7AUMA1

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Infineon MOSFET Canal N, ThinkPAK 8 X 8 13 A 650 V, 5 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, ThinkPAK 8 X 8 13 A 650 V, 5 Broches

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