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STMicroelectronics Module MOSFET Canal N, Hip247 33 A 1200 V, 3 Broches

About The STMicroelectronics Module MOSFET canal N, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches, Série: SCT, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,105 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, MPN: SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics Module MOSFET canal N, Hip247 33 A 1200 V, 3 broches, Série: SCT, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,105 Ω, Mode de canal: Depletion, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Matériau du transistor: SiC, MPN: SCTW40N120G2VAG

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

STMicroelectronics Module MOSFET Canal N, Hip247 33 A 1200 V, 3 Broches

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