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Infineon MOSFET Canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 108 A 200 V, 8 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 108 A 200 V, 8 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0111 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPTG111N20NM3FDATMA1

Infineon MOSFET canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 108 A 200 V, 8 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0111 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, MPN: IPTG111N20NM3FDATMA1

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Infineon MOSFET Canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 108 A 200 V, 8 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 108 A 200 V, 8 Broches

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