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3M Eponge De Ponçage, Carbure De Silicium, Très Fin, 224mm X 158mm

About The 3M Eponge de ponçage, Carbure de Silicium, Très fin, 224mm x 158mm, Type de papier abrasif: Feuilles abrasives, Taille de la feuille: 224 X 158mm, Nombre de feuilles par pack: 20, Série: Scotchbrite 7448, MPN: 64935

3M Eponge de ponçage, Carbure de Silicium, Très fin, 224mm x 158mm, Type de papier abrasif: Feuilles abrasives, Taille de la feuille: 224 X 158mm, Nombre de feuilles par pack: 20, Série: Scotchbrite 7448, MPN: 64935

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3M Eponge De Ponçage, Carbure De Silicium, Très Fin, 224mm X 158mm

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Specifications of 3M Eponge De Ponçage, Carbure De Silicium, Très Fin, 224mm X 158mm

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3M Eponge De Ponçage, Carbure De Silicium, Très Fin, 224mm X 158mm
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SICK Capteur de proximité,, M12, Détection 75 mm, PNP NO+NC, 10 → 30 V c.c.

SICK Capteur de proximité,, M12, Détection 75 mm, PNP NO+NC, 10 → 30 V c.c.

c.SICK Capteur de proximité,, M12, Détection 75 mm, PNP NO+NC, 10 → 30 V c. maximum: 30V, Température minimum de fonctionnement: -25°C, Profondeur: 114mm, Température d'utilisation maximum: +70°C, MPN: 6069286.c.

    • SICK Capteur photoélectrique Suppression de l'arrière plan, SureSense, 300 mm, Type de sortie: PNP, Raccordement électrique: Connecteur M12 à 4 broches, MPN: 1071031
    • Murata Inductance CMS multicouche 12 nH, 250mA max, 0201 (0603M), dimensions 0.6 x 0.3 x 0.3mm, série LQP03TQ, Longueur: 0.6mm, Tolérance: ±3%, Résistance DC maximale: 690mΩ, Fréquence d'auto-résonance maximale: 4900MHz, Température d'utilisation maximum: +125°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, facteur de qualité minimal: 17, MPN: LQP03TQ12NH02D
    • Vishay MOSFET canal N, SOT-523 (SC-89) 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.6mm, Longueur: 1.7mm, MPN: SI1026X-T1-GE3
    • Vishay MOSFET canal N, SOT-523 (SC-89) 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.6mm, Longueur: 1.7mm, MPN: SI1026X-T1-GE3