Vishay Siliconix MOSFET canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 broches, Série: TrenchFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, MPN: SQJ481EP-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 Broches
Specifications of Vishay Siliconix MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8L 16 A 80 V, 4 Broches | |
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