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IXYS Diode Traversante, 30A, 1200V, TO-247AD

About The 7V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 75ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 180A, MPN: DHG30I1200HA.IXYS Diode traversante, 30A, 1200V, TO-247AD, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 2

IXYS Diode traversante, 30A, 1200V, TO-247AD, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 2.7V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 75ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 180A, MPN: DHG30I1200HA

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

IXYS Diode Traversante, 30A, 1200V, TO-247AD

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Specifications of IXYS Diode Traversante, 30A, 1200V, TO-247AD

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