Hirschmann Test & Measurement Borne D'essai 4 Mm Rouge Mâle 30A 30 V Ac, 60V C.c.

Name: Hirschmann Test & Measurement? Hirschmann Test & Measurement Borne D'essai 4 Mm Rouge Mâle 30A 30 V Ac, 60V C.c., Méthode De Raccordement: Visser, Placage Du Contact: Nickel, Longueur: 58.5mm, Matériau De Contact: Laiton, Type: Connecteur De Test, Matériau De L'isolant: PVC-P, MPN: 930584101
Brand: Hirschmann Test & Measurement
SKU: ABDX-411552
Price: 2.56 EUR
Availability: InStock

About The c.Hirschmann Test & Measurement Borne d'essai 4 mm Rouge Mâle 30A 30 V ac, 60V c

Hirschmann Test & Measurement Borne d'essai 4 mm Rouge Mâle 30A 30 V ac, 60V c.c., Méthode de raccordement: Visser, Placage du contact: Nickel, Longueur: 58.5mm, Matériau de contact: Laiton, Type: Connecteur de test, Matériau de l'isolant: PVC-P, MPN: 930584101

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Hirschmann Test & Measurement Borne d'essai 4 mm Noir Mâle 30A 30 V ac, 60V c.c., Méthode de raccordement: Visser, Placage du contact: Nickel, Longueur: 58.5mm, Matériau de contact: Laiton, Type: Connecteur de test, Matériau de l'isolant: PVC-P, MPN: 930584100

Vishay Résistance Film métallique 2.7Ω ±5%, 0.4W, Série: SFR25, Température d'utilisation maximum: +155°C, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: SFR2500002708JA500

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Specifications of Hirschmann Test & Measurement Borne D'essai 4 Mm Rouge Mâle 30A 30 V Ac, 60V C.c.
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Last Updated January 4th, 2025 05:49 pm

Hirschmann Test & Measurement Borne D'essai 4 Mm Rouge Mâle 30A 30 V Ac, 60V C.c.

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STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 23 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 70000 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 2.4mm, MPN: STD15NF10T4

STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 23 A 100 V, 3 broches.

Aaronia Ag Omnidirectionnelle Antenne multibande 202/001 Boulonné/Montage traversant Barre en "I" 2G (GSM/GPRS), 3G, Protocoles RF: 2G (GSM/GPRS), 3G (UTMS), WiFi, Plage de fréquence: 700 MHz, Série: OmniLOG

Aaronia Ag Omnidirectionnelle Antenne multibande 202/001 Boulonné/Montage traversant Barre en "I" 2G (GSM/GPRS), 3G.

LPRS Antenne GSM et GPRS 5G SMA 3dBi, 868 → 928 MHz, Aspect physique de l’antenne: Fouet, Type de montage de l’antenne: Direct, Directivité de l’antenne: Omnidirectionnelle, Série: LPRS-ANT, MPN: LPRS-ANT-5G-SMA

LPRS Antenne GSM et GPRS 5G SMA 3dBi, 868 → 928 MHz.

LPRS Antenne SMT 1.5dBi -CCA-2.4 ISM Band, Aspect physique: Puce, Dimensions: 3.2 x 1.6 x 0.5mm, Longueur: 3.2mm, Largeur: 1.6mm, MPN: LPRS-CCA-2.4

LPRS Antenne SMT 1.4 ISM Band.5dBi -CCA-2.

DiodesZetex MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 46,9 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.7mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: DMTH6016LK3-13

DiodesZetex MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 46,9 A 60 V, 3 broches.

Vishay Résistance Film métallique 2.7Ω ±5%, 0.4W, Série: SFR25, Température d'utilisation maximum: +155°C, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: SFR2500002708JA500

4W.7Ω ±5%, 0.Vishay Résistance Film métallique 2.