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Renesas Electronics SRAM 4Mbit 256 K X 16

About The Renesas Electronics SRAM 4Mbit 256 k x 16, Temps d'accès aléatoire maximum: 15ns, MPN: 71V416L10PHGI

Renesas Electronics SRAM 4Mbit 256 k x 16, Temps d'accès aléatoire maximum: 15ns, MPN: 71V416L10PHGI

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Mémoires > Mémoires SRAM

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Specifications of Renesas Electronics SRAM 4Mbit 256 K X 16

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Renesas Electronics SRAM 4Mbit 256 K X 16
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Bosch Disque à poncer X-LOCK, Ø 115mm, par 25, Type de disque: Disque de coupe, Epaisseur: 1.6mm, Taille de l'alésage: 22.23mm, Vitesse maximale de sécurité: 80m/s, Matériau à couper: Acier inoxydable, En forme de disque: Rond, MPN: 2608619260
    • Microchip Microcontrôleur, 8bit, 1 ko RAM, 14 kB, 32MHz, UQFN 16, série PIC16F, Type de montage: CMS, Cœur du circuit: Processeur 8 bits, Taille de la RAM: 1 ko, Canaux CAN: 11, Tension d'alimentation de fonctionnement typique: 5,5 V (maximum), Résolution CAN: 10bit, CAN: 1 (11 x 10 bits), MPN: PIC16F15325-I/JQ
    • Bourns Résistance CMS série PWR263S-35 100Ω, boitier A-263 ±1% 35W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ppm/°C, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: PWR263S-35-1000F
    • Lapp Presse-étoupe SKINDICHT, M12 en Laiton nickelé Ø 3mm à Ø 4.8mm, avec contre-écrous, IP68, Couleur: Métallique, Contre-écrou inclus: Oui, Température maximum d'utilisation: +80°C, Température minimum d'utilisation: -20°C, MPN: 52103300+52105270
    • Bosch Disque à poncer X-LOCK, Ø 115mm, par 10, Type de disque: Disque de coupe, Epaisseur: 1mm, Taille de l'alésage: 22.23mm, Vitesse maximale de sécurité: 80m/s, Matériau à couper: Acier inoxydable, En forme de disque: Rond, MPN: 2608619266
    • RS PRO Câble d'actionneur 4 conducteurs, M12 Mâle vers M12 Mâle, 5m, Série: CDM12S, Section: 0,25 mm², Couleur de gaine: Noir, Matériau de la gaine: PUR, Connecteur 1 - Orientation: Droit, Blindé/non blindé: Blindé, Blindage: Tresse 80 %
    • Nexperia Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq.
    • Renesas Electronics SRAM 4Mbit 256 k x 16, Temps d'accès aléatoire maximum: 15ns, MPN: 71V416L10PHGI
    • Nexperia Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq.

    Nexperia Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq.

    230W, Configuration de diode: Série, Type de montage: CMS, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 24V, Courant d'impulsion crête maximum: 5A, Protection ESD: Oui, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, Dimensions: 3 x 1. Nexperia Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq.2V, 41V SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, dissip. 26.

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