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Phoenix Contact Insert De Contact Série HC, 2 Contacts, 16A, Mâle

About The Phoenix Contact Insert de contact série HC, 2 contacts, 16A, Mâle, Tension: 2900,5000 V c.a

Phoenix Contact Insert de contact série HC, 2 contacts, 16A, Mâle, Tension: 2900,5000 V c.a., Orientation du corps: Droit, MPN: 1417408

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Phoenix Contact Insert De Contact Série HC, 2 Contacts, 16A, Mâle

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Specifications of Phoenix Contact Insert De Contact Série HC, 2 Contacts, 16A, Mâle

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Phoenix Contact Insert De Contact Série HC, 2 Contacts, 16A, Mâle
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onsemi MOSFET canal N, SOIC 10,2 A 30 V, 8 broches, Série: PowerTrench, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS8878
    • Vishay Diode traversante, 1A, 400V, DO-204AL, Configuration de diode: Simple, Série: 1N4004, Type de redressement: Usage général, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1.1V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Diamètre: 2.7mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 45A, MPN: 1N4004-E3/54
    • onsemi MOSFET canal N, SOIC 15 A 30 V, 8 broches, Série: PowerTrench, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS8896
    • onsemi MOSFET canal N, SOIC 6 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 29 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS8949
    • onsemi MOSFET canal N, SOIC 6 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 29 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDS8949