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BALLUFF Capteur Photoélectrique Réflexion Directe, BOS 12M, 8 M, Cylindrique, IP67

About The maximum: 30V, Source lumineuse: LED, Courant maximum: 100 mA, Temps de réponse: 500 μs, Matériau du boîtier: Laiton, Température d'utilisation maximum: +55°C, Température minimum de fonctionnement: -5°C, Type de montage: Montage sur câble, MPN: BOS 12M-PS-RE10-S4.c

BALLUFF Capteur photoélectrique Réflexion directe, BOS 12M, 8 m, Cylindrique, IP67, Type de sortie: PNP, Raccordement électrique: Connecteur M12, Tension V c.c. maximum: 30V, Source lumineuse: LED, Courant maximum: 100 mA, Temps de réponse: 500 μs, Matériau du boîtier: Laiton, Température d'utilisation maximum: +55°C, Température minimum de fonctionnement: -5°C, Type de montage: Montage sur câble, MPN: BOS 12M-PS-RE10-S4

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BALLUFF Capteur Photoélectrique Réflexion Directe, BOS 12M, 8 M, Cylindrique, IP67

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BALLUFF Capteur Photoélectrique Réflexion Directe, BOS 12M, 8 M, Cylindrique, IP67
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Zarges Garnitures de mousse pour valise, Noir, Haut Densité, 550 x 550 x 220mm, Utiliser avec Modèle de boîtier K470 40849, Forme de mousse: Rectangulaire, Longueur: 550mm, MPN: 43866

Zarges Garnitures de mousse pour valise, Noir, Haut Densité, 550 x 550 x 220mm, Utiliser avec Modèle de boîtier K470 40849, Forme de mousse: Rectangulaire, Longueur: 550mm, MPN: 43866

Zarges Garnitures de mousse pour valise, Noir, Haut Densité, 550 x 550 x 220mm, Utiliser avec Modèle de boîtier K470 40849.

    • Switchcraft Switch; Panel Mount; 250 mA; Solder Terminal; Copper Alloy (ROHS), MPN: 903X

    Switchcraft Switch; Panel Mount; 250 mA; Solder Terminal; Copper Alloy (ROHS), MPN: 903X

    Switchcraft Switch; Panel Mount; 250 mA; Solder Terminal; Copper Alloy (ROHS).

    • Switchcraft Jack, Phone; Screw Mount; 2; 0.25 in.; 0.276 in., MPN: N112AX

    Switchcraft Jack, Phone; Screw Mount; 2; 0.25 in.; 0.276 in., MPN: N112AX

    ; 0.Switchcraft Jack, Phone; Screw Mount; 2; 0.25 in..

    • Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 70 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 2.41mm, MPN: IPD042P03L3GATMA1
    • Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 70 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 2.41mm, MPN: IPD042P03L3GATMA1