Fairchild Semiconductor MOSFET Onsemi Canal N, DPAK 44 A 100 V, 3 Broches
About The Fairchild Semiconductor MOSFET onsemi canal N, DPAK 44 A 100 V, 3 broches, Série: UltraFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 74 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 144 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDD3672_F085
Fairchild Semiconductor MOSFET onsemi canal N, DPAK 44 A 100 V, 3 broches, Série: UltraFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 74 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 144 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.73mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FDD3672_F085
Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET Onsemi Canal N, DPAK 44 A 100 V, 3 Broches
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Specifications of Fairchild Semiconductor MOSFET Onsemi Canal N, DPAK 44 A 100 V, 3 Broches | |
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