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Infineon MOSFET Canal N, PG-TO263-7 232 A 40 V, 7 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-7 232 A 40 V, 7 broches, MPN: IPF013N04NF2SATMA1

Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-7 232 A 40 V, 7 broches, MPN: IPF013N04NF2SATMA1

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal N, PG-TO263-7 232 A 40 V, 7 Broches

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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, PG-TO263-7 232 A 40 V, 7 Broches

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Infineon MOSFET Canal N, PG-TO263-7 232 A 40 V, 7 Broches
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Rating :- 8 /10
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SMC Clapet anti-retour AKH Fileté R 1/8 Mâle, -1 → 10bar, Type de connexion de sortie: Tube, Connexion du tube de sortie: 4mm, MPN: AKH04A-01S
    • EPCOS Inductance bobinée CMS 0,39 μH, 190mA max, 1210 (3225M), dimensions 3.2 x 2.5 x 2mm, série SIMID, Longueur: 3.2mm, Profondeur: 2.5mm, Tolérance: ±10%, Résistance DC maximale: 1.4Ω, Matériau du corps: Céramique, Fréquence d'auto-résonance maximale: 540MHz, Température d'utilisation maximum: +145°C, MPN: B82422A3391K100
    • Semikron Thyristor Diode Module; 1.65 V (Max.); 3600/3000 V (RMS); 0.57/0.29 K/W, MPN: SKKT 57/16 E

    Semikron Thyristor Diode Module; 1.65 V (Max.); 3600/3000 V (RMS); 0.57/0.29 K/W, MPN: SKKT 57/16 E

    57/0.); 3600/3000 V (RMS); 0.29 K/W.Semikron Thyristor Diode Module; 1.

    • RS PRO Boîtier en Acier inoxydable 304 Acier dim.
    • RS PRO Boîtier en Acier inoxydable 304 Acier dim.

    RS PRO Boîtier en Acier inoxydable 304 Acier dim.

    100 x 100 x 61mm, IP66, Hauteur externe: 100 mm, Porte transparente: Non, Type de verrouillage de porte: Vis, Application: Environnement difficile, Indice de protection IK: IK10, Type de montage interne: Rail DIN ext. RS PRO Boîtier en Acier inoxydable 304 Acier dim. ext. 100 x 100 x 61mm, IP66.