Nexperia MOSFET Canal P, DFN1010D-3 3,2 A -12 V, 4 Broches
About The 36mm, MPN: PMXB65UPEZ.Nexperia MOSFET canal P, DFN1010D-3 3,2 A -12 V, 4 broches, Courant continu de Drain maximum: -3,2 A, Type de boîtier: DFN1010D-3, SOT1215, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 880 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: -1V, Tension de seuil minimale de la grille: -0
Nexperia MOSFET canal P, DFN1010D-3 3,2 A -12 V, 4 broches, Courant continu de Drain maximum: -3,2 A, Type de boîtier: DFN1010D-3, SOT1215, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 880 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: -1V, Tension de seuil minimale de la grille: -0.4V, Dissipation de puissance maximum: 8330 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 8 V, Hauteur: 0.36mm, MPN: PMXB65UPEZ
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Nexperia MOSFET Canal P, DFN1010D-3 3,2 A -12 V, 4 Broches
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Specifications of Nexperia MOSFET Canal P, DFN1010D-3 3,2 A -12 V, 4 Broches | |
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