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STMicroelectronics Diode Traversante, 30A, 1000V, DOP3I

About The STMicroelectronics Diode traversante, 30A, 1000V, DOP3I, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broche: 2, Chute minimale de tension directe: 2V, Temps de recouvrement inverse crête: 100ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 180A, MPN: STTH3010PI

STMicroelectronics Diode traversante, 30A, 1000V, DOP3I, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Jonction au silicium, Nombre de broche: 2, Chute minimale de tension directe: 2V, Temps de recouvrement inverse crête: 100ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 180A, MPN: STTH3010PI

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes Schottky et de redressements

STMicroelectronics Diode Traversante, 30A, 1000V, DOP3I

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Specifications of STMicroelectronics Diode Traversante, 30A, 1000V, DOP3I

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