Infineon MOSFET canal N, DirectFET isométrique 86 A 60 V, Série: DirectFET, HEXFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.9V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 89 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 6.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRF6648TRPBF
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Infineon MOSFET Canal N, DirectFET Isométrique 86 A 60 V
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DirectFET Isométrique 86 A 60 V | |
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