Molex Embase à Broches, SPOX, 7 Pôles, 5.08mm 1 Rangée, 7.0A, Droit

Name: Molex Embase à Broches, SPOX, 7 Pôles, 5.08mm 1 Rangée, 7.0A, Droit? Molex
Brand: Molex
SKU: ABDX-50479
Price: 600.00 EUR
Availability: InStock

About The Molex Embase à broches, SPOX, 7 pôles, 5.08mm 1 rangée, 7

Molex Embase à broches, SPOX, 7 pôles, 5.08mm 1 rangée, 7.0A, Droit, Enveloppé/Non-Enveloppé: Non enveloppée, Système de connecteurs: Fil à Carte, Type de montage: Traversant, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Laiton, Placage du contact: Etain, Numéro de série: 5281, Tension: 250,0 V, MPN: 10-32-1071

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Molex Embase pour CI, Milli-Grid, 6 pôles, 2.0mm, 2 rangées, 2.0A, Droit, Enveloppé/Non-Enveloppé: Enveloppée, Système de connecteurs: Fil à Carte, Type de montage: Montage en surface, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Bronze phosphoreux, Numéro de série: 87832, Tension: 125,0 V, MPN: 87832-0628

Microchip Mémoire EEPROM en série, 1Kbit, Série-Microwire DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 16bit, Type de montage: Traversant, Temps d'accès aléatoire maximum: 200ns, MPN: 93C46B-I/P

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Specifications of Molex Embase à Broches, SPOX, 7 Pôles, 5.08mm 1 Rangée, 7.0A, Droit
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Last Updated January 31st, 2025 09:42 pm

Molex Embase à Broches, SPOX, 7 Pôles, 5.08mm 1 Rangée, 7.0A, Droit

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Vishay Résistance CMS série MMA 200kΩ, boitier MELF 0204 ±0.1% 0.07W, Technologie: Film couche mince, Coefficient de température: ±15ppm/K, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -10°C, Température d'utilisation maximum: +85°C, MPN: MMA02040E2003BB100

Vishay Résistance CMS série MMA 200kΩ, boitier MELF 0204 ±0.1% 0.07W.

Eaton Cartouche fusible, 10A 6.3 x 32mm Type F 100V c.a., Matériau du corps: Verre, Série: Eaton Bussmann, MPN: TDC10-10A

Eaton Cartouche fusible, 10A 6..3 x 32mm Type F 100V c.

TE Connectivity Résistance à montage sur châssis Bobinée, 100Ω 100W ±5%, Série: HSA05, Boîtier: Enveloppées d'aluminium, Style de terminaison: Œillet à souder, Coefficient de température minimal: -50ppm/°C, Coefficient de température maximal: +50ppm/°C, MPN: HSC100100RJ

TE Connectivity Résistance à montage sur châssis Bobinée, 100Ω 100W ±5%.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 1Kbit, 3 fils DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 8bit, Type de montage: Traversant, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 4,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 4.5 → 5.5V, Dimensions: 9.27 x 6.35 x 3.3mm, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 250ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: 93C46A-I/P

Microchip Mémoire EEPROM en série, 93C46A-I/P, 1Kbit, 3 fils DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 8bit.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 1Kbit, 3 fils DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 8bit, Type de montage: CMS, Configuration: 128 x 8 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 4,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 4.5 → 5.5V, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.5mm, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 250ns, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: 93C46A-I/SN

Microchip Mémoire EEPROM en série, 93C46A-I/SN, 1Kbit, 3 fils DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 8bit.

Microchip Mémoire EEPROM en série, 1Kbit, Série-Microwire DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 16bit, Type de montage: Traversant, Temps d'accès aléatoire maximum: 200ns, MPN: 93C46B-I/P

Microchip Mémoire EEPROM en série, 93C46B-I/P, 1Kbit, Série-Microwire DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, 8 broches, 16bit.