Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 3 A 800 V, 3 broches, Série: CoolMOS™ P7, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: IPD80R2K0P7ATMA1
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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 3 A 800 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 3 A 800 V, 3 Broches | |
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