Infineon Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 34 A 200 V, 3 Broches
About The Infineon Transistor MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 34 A 200 V, 3 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 32 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.31mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPB320N20N3GATMA1
Infineon Transistor MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 34 A 200 V, 3 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 32 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 136 W, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.31mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: IPB320N20N3GATMA1
Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 34 A 200 V, 3 Broches
Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Specifications of Infineon Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 34 A 200 V, 3 Broches | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
