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Nichicon Condensateur Série WD, Aluminium électrolytique 15μF, 16V C.c.

About The 8mm, Température d'utilisation minimum: -55°C, Diamètre: 4mm, Température d'utilisation maximum: +105°C, Pas entre broches: 1mm, Durée de vie: 5000h, Courant de fuite: 3 μA, Polarisé: Polaire, Courant d'ondulation: 80mA, MPN: UWD1C150MCL1GS.) x 5

Nichicon Condensateur série WD, Aluminium électrolytique 15μF, 16V c.c., Capacité: 15µF, Type de montage: Montage en surface, Dimensions: 4 (Dia.) x 5.8mm, Température d'utilisation minimum: -55°C, Diamètre: 4mm, Température d'utilisation maximum: +105°C, Pas entre broches: 1mm, Durée de vie: 5000h, Courant de fuite: 3 μA, Polarisé: Polaire, Courant d'ondulation: 80mA, MPN: UWD1C150MCL1GS

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Nichicon Condensateur Série WD, Aluminium électrolytique 15μF, 16V C.c.

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Specifications of Nichicon Condensateur Série WD, Aluminium électrolytique 15μF, 16V C.c.

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Nichicon Condensateur Série WD, Aluminium électrolytique 15μF, 16V C.c.
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Vishay Résistance CMS série MMA 120Ω, boitier MELF 0204 ±1% 0.25W, Technologie: Film couche mince, Coefficient de température: ±50ppm/K, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +125°C, MPN: MMA02040C1200FB300
    • Panasonic Condensateur série ED - A, Aluminium électrolytique 100μF, 160V c.c., Capacité: 100µF, Type de montage: Radial, Traversant, Dimensions: 12.5 (Dia.) x 25mm, Température d'utilisation minimum: -25°C, Diamètre: 12.5mm, Température d'utilisation maximum: +105°C, Durée de vie: 10000h, Polarisé: Polaire, Courant d'ondulation: 1.17A, Tolérance: ±20%, MPN: EEUED2C101
    • Infineon Driver de MOSFET IR2113STRPBF 2,5 A 20V, 16 broches, SOIC, Topologie: High/Low Side, Dépendance High and Low Sides: Indépendant, Polarité: Sans inversion, Type de montage: CMS, Compatibilité de logique d'entrée: CMOS, LSTTL, Dimensions: 10.5 x 7.6 x 2.35mm, Longueur: 10.5mm
    • Infineon MOSFET canal P, D2PAK (TO-263) 70 A 55 V, 3 broches, Série: HEXFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, MPN: IRF4905STRLPBF
    • Infineon MOSFET canal P, D2PAK (TO-263) 70 A 55 V, 3 broches, Série: HEXFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.67mm, MPN: IRF4905STRLPBF