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Vishay Diode TVS Bidirectionnel, Claq. 9.5V, 14.5V DO-204AC, 2 Broches, Dissip. 600W

About The 5V, 14.6 (Dia

600W, Configuration de diode: Simple, Type de montage: Traversant, Tension inverse maximum à l'état bloqué: 8.5V, Courant d'impulsion crête maximum: 41.4A, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Dimensions: 3.6 (Dia.) x 7.6mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Diamètre: 3.6mm, MPN: P6KE10CA-E3/54 Vishay Diode TVS Bidirectionnel, claq. 9.5V, 14.5V DO-204AC, 2 broches, dissip.

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Diodes TVS

Vishay Diode TVS Bidirectionnel, Claq. 9.5V, 14.5V DO-204AC, 2 Broches, Dissip. 600W

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Specifications of Vishay Diode TVS Bidirectionnel, Claq. 9.5V, 14.5V DO-204AC, 2 Broches, Dissip. 600W

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Vishay Diode TVS Bidirectionnel, Claq. 9.5V, 14.5V DO-204AC, 2 Broches, Dissip. 600W
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Tegera Gants de manutention taille 5, Résistant à la chaleur, 12 Paires, Noir, jaune, Matériau des gants: Polyester, Élasthanne, Revêtement des gants: Nitrile, Nombre de gants: 12Paires, MPN: 8821-5
    • Siemens Alimentation de charge Direct, 1, 3 SIRIUS 3RA 3RA2, 2,2 kW 690 V c.a. 4,9 A
    • Vishay MOSFET canal P, Power PAK SC-70 12 A 12 Mo, 6 broches, Série: TrenchFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 71 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIA447DJ-T1-GE3
    • Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8 58 A 30 V, 8 broches, Série: TrenchFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 31,2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +20 V, Longueur: 6.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIRA14DP-T1-GE3
    • Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8 58 A 30 V, 8 broches, Série: TrenchFET, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 31,2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +20 V, Longueur: 6.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIRA14DP-T1-GE3