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Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 3,2 A, 5 A. 850 V, 3 Broches

About The 850 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,95 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3.Vishay MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 3,2 A, 5 A

850 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,95 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Nombre d'éléments par circuit: 1, MPN: SIHD6N80AE-GE3 Vishay MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 3,2 A, 5 A.

Composants Électroniques & Énergie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 3,2 A, 5 A. 850 V, 3 Broches

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