Infineon MOSFET canal N, I2PAK (TO-262) 80 A 100 V, 3 broches, Série: OptiMOS™ 3, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 15,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.36mm, MPN: IPI086N10N3GXKSA1
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Infineon MOSFET Canal N, I2PAK (TO-262) 80 A 100 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, I2PAK (TO-262) 80 A 100 V, 3 Broches | |
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