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Onsemi Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 185 A 150 V, 7 Broches

About The onsemi Transistor MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 185 A 150 V, 7 broches, Série: NTB, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, MPN: NTBGS4D1N15MC

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Onsemi Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 185 A 150 V, 7 Broches

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Specifications of Onsemi Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 185 A 150 V, 7 Broches

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Onsemi Transistor MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 185 A 150 V, 7 Broches
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Rating :- 9.81 /10
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Microchip Puce mémoire EEPROM, 4Kbit, Série-Microwire SOIC, 8 broches, 16bit, Type de montage: CMS, Configuration: 256 x 16 bits, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 2,5 V, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Tension de programmation: 2.5 → 5.5V, Dimensions: 4.9 x 3.9 x 1.5mm, Standard automobile: AEC-Q100, Conservation des données: 200an, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Temps d'accès aléatoire maximum: 200ns, MPN: 93LC66BT-I/SN
    • TE Connectivity Connecteur fond de panier, Mâle, 13A, 250 V c.a., Montage en surface, Genre du boitier: Femelle, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Bronze phosphoreux, Matériau du boîtier: Nylon, Placage du contact: Etain, MPN: 770149-1
    • ABB Disjoncteur SU200 M 1P, 5A, pouvoir de coupure 15 kA, Caractéristique de déclenchement: Type Z, Tension c.a.

    ABB Disjoncteur SU200 M 1P, 5A, pouvoir de coupure 15 kA, Caractéristique de déclenchement: Type Z, Tension c.a.

    ABB Disjoncteur SU200 M 1P, 5A, pouvoir de coupure 15 kA.nominale: 48V, MPN: A993290 nominale: 277V, Tension c.c.

    • Omron Capteur de proximité,, Détection 3 mm, NPN NC, 12 → 24 V c.c.

    Omron Capteur de proximité,, Détection 3 mm, NPN NC, 12 → 24 V c.c.

    maximum: 24V, Température minimum de fonctionnement: -25°C, Profondeur: 6mm, MPN: TL-W3MC2 2M., Technologie de détection: Inductif, Type de corps: Bloc, Longueur du câble: 2m, Type de connexion: Pré-câblée, Indice IP: IP67, Longueur: 25mm, Type de montage: Non noyable, Largeur: 10mm, Tension V c.c.

    • Siemens Interrupteur différentiel 5SV3, 4 Pôles, 25A, 30mA

    Siemens Interrupteur différentiel 5SV3, 4 Pôles, 25A, 30mA

    Siemens Interrupteur différentiel 5SV3, 4 Pôles, 25A, 30mA, Type de disjoncteur: RCCB, Gamme: Sentron, Critères Better World: Durée de vie du produit prolongée, Produit Better World: Oui, Style de montage: Montage rail DIN, Tension c.

    • ABB Disjoncteur SU200 M 1P, 20A, pouvoir de coupure 15 kA, Caractéristique de déclenchement: Type Z, Tension c.a.

    ABB Disjoncteur SU200 M 1P, 20A, pouvoir de coupure 15 kA, Caractéristique de déclenchement: Type Z, Tension c.a.

    c.nominale: 48V, MPN: A993298 nominale: 277V, Tension c. ABB Disjoncteur SU200 M 1P, 20A, pouvoir de coupure 15 kA.

    • Wurth Elektronik Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 7.5mm série 4049B, Type de montage: Montage sur CI, Genre: Mâle, Type de raccordement: A souder, Type: Embase CI, Courant: 30A, Orientation du corps: Horizontal, Couleur: Noir, Tension: 2,2 kV, 600 V c.a., Profondeur: 24.1mm, Longueur: 23.7mm, Matériau: Nylon 66, MPN: 691404910003B
    • onsemi Transistor MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 185 A 150 V, 7 broches, Série: NTB, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, MPN: NTBGS4D1N15MC
    • Wurth Elektronik Bornier pour CI 3 contacts 1 rangée(s) pas de 7.5mm série 4049B, Type de montage: Montage sur CI, Genre: Mâle, Type de raccordement: A souder, Type: Embase CI, Courant: 30A, Orientation du corps: Horizontal, Couleur: Noir, Tension: 2,2 kV, 600 V c.a., Profondeur: 24.1mm, Longueur: 23.7mm, Matériau: Nylon 66, MPN: 691404910003B
    • onsemi Transistor MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 185 A 150 V, 7 broches, Série: NTB, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,004 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.3V, Matériau du transistor: SiC, MPN: NTBGS4D1N15MC