Infineon MOSFET canal N, SuperSO8 5 x 6 100 A 25 V, 8 broches, Série: OptiMOS™ 5, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,25 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 74 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +16 V, Longueur: 5.49mm, MPN: BSC009NE2LS5ATMA1
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Infineon MOSFET Canal N, SuperSO8 5 X 6 100 A 25 V, 8 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, SuperSO8 5 X 6 100 A 25 V, 8 Broches | |
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